[发明专利]一种多孔富缺陷二硫化钼的制备方法有效
| 申请号： | 201610573406.8 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106186070B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘文宏;何帅;陈天云;苗世顶;凤仪 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B01J27/051;B01J35/10 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 卢敏,何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔富缺陷二硫化钼的制备方法，其特征在于在钼酸盐的水溶液中加入可溶性酸或可溶性盐，然后加热，钼酸根离子在阳离子的诱导下逐步聚合成多孔杂合的有序聚集体；产物经离心、洗涤和烘干后，转移到反应釜中，以含负二价硫元素的化合物为硫源，通过水热‑气相原位硫化法获得多孔富缺陷二硫化钼。本发明的方法操作简单，原料廉价易得，所得产物形貌较好、比表面积大，能够规模化合成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 缺陷 二硫化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔富缺陷二硫化钼的制备方法，其特征在于：(1)在钼酸盐的水溶液中加入可溶性酸或可溶性盐，然后加热，钼酸根离子在阳离子的诱导下逐步聚合成多孔杂合的有序聚集体，产物经分离、洗涤、烘干后，获得纳米级多孔聚钼酸盐；(2)将步骤(1)所得纳米级多孔聚钼酸盐转移到反应釜中，以含负二价硫元素的化合物为硫源，通过水热‑气相原位硫化法获得多孔富缺陷二硫化钼；具体步骤是：在高压反应釜的聚四氟乙烯内胆中放置一个耐高温容器；将纳米级多孔聚钼酸盐放入耐高温容器中，将硫源的水溶液放入聚四氟乙烯内胆中、且在耐高温容器外，使纳米级多孔聚钼酸盐和硫源的水溶液分开；然后在100～300℃的温度下水热反应12～84h，所得产物经分离、洗涤和干燥，即获得多孔富缺陷的二硫化钼。
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