[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610586917.3 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107658268B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;王彦;吴端毅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一功能区域和第二功能区域，在半导体衬底上交替形成有第一牺牲层和第二牺牲层；图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在第一功能区域中形成第一开口并露出半导体衬底；选择性蚀刻所述第一开口中露出的所述第一牺牲层，以使位于所述第一牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸大于位于所述第二牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸；在所述第一开口中填充第一半导体材料，以形成第一鳍片；图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在所述第二功能区域中形成第二开口并露出所述半导体衬底；在所述第二开口中填充第二半导体材料，以形成第二鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一功能区域和第二功能区域，在所述半导体衬底上交替形成有第一牺牲层和第二牺牲层；图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在所述第一功能区域中形成第一开口并露出所述半导体衬底；选择性蚀刻所述第一开口中露出的所述第一牺牲层，以使位于所述第一牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸大于位于所述第二牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸；在所述第一开口中填充第一半导体材料，以形成第一鳍片；图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在所述第二功能区域中形成第二开口并露出所述半导体衬底；在所述第二开口中填充第二半导体材料，以形成第二鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
