[发明专利]一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201610589165.6 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106784316A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 田汉民;金慧娇;田学民;戎小莹;张天;郭丹;赵昆越 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300401 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿单晶 材料 微晶硅 复合材料 结合 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池,其特征在于:底部电极、氧化物半导体薄膜、钙钛矿单晶光吸收层,微晶硅空穴传输层、底部以及顶部电极构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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