[发明专利]电流沉负载电路及低压差线性稳压器

摘要

本发明提供了一种电流沉负载电路和低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器包括一带隙参考电路、一放大器、一第十二MOS晶体管、一第二电阻、一第三电阻、一第一电容以及一电流沉负载电路，所述电流沉负载电路并联于一负载的两端，所述负载的一端连接于所述第十二MOS晶体管的漏极，另一端接地。当所述低压差线性滤波器在进行模式切换时，利用所述电流沉负载电路来降低所述低压差线性滤波器总的负载电流的频率，使得所述低压差线性稳压器来得及响应，同时也不会浪费过多的电流，节约功耗。

主权项

一种电流沉负载电路，其特征在于，所述电流沉负载电路并联于一低压差线性稳压器内的一负载的两端，所述电流沉负载电路包括：一RC滤波电路、一第一电阻以及一第一MOS晶体管；其中，所述第一MOS晶体管的栅极连接于所述RC滤波电路的输出端，源极通过所述第一电阻接地，漏极连接于所述低压差线性稳压器的输出端；所述RC滤波电路包括：一第二MOS晶体管、一第三MOS晶体管、一第五MOS晶体管、一第七MOS晶体管、一第十MOS晶体管、一第十一MOS晶体管以及两个电阻与两个电容；其中，所述第二MOS晶体管的栅极连接于所述第三MOS晶体管的栅极，源极连接于第二电压，漏极连接于所述第五MOS晶体管的漏极；所述第三晶体管的源极接地，漏极连接于所述第七晶体管的漏极；所述第五MOS晶体管的源极与所述第七晶体管的源极连接于一第一节点；所述第十MOS晶体管的源极连接于所述第十一MOS晶体管的漏极，漏极连接于一第二节点，所述第十一MOS晶体管的源极连接于所述第二电压；所述第一节点和第二节点连接于所述第一MOS晶体管的栅极；一电阻并联于所述第五MOS晶体管的源极与漏极两端，另一电阻并联于所述第七MOS晶体管的源极与漏极两端，一电容的一端连接于所述第二节点，另一端连接于所述第二电压，另一电容的一端连接于所述第二节点，另一端接地；所述第二MOS晶体管的栅极、第三MOS晶体管的栅极以及第十MOS晶体管的栅极同时输入一第一控制信号；所述第五MOS晶体管的栅极和第七MOS晶体管的栅极同时输入一第二控制信号；所述第十一MOS晶体管的栅极输入一标识信号；所述第二控制信号是所述负载的高速模式使能信号与所述负载的高速模式的提前信号进行或运算的计算结果，所述第一控制信号是所述高速模式使能信号与第二控制信号的延迟信号进行同或运算的计算结果，利用所述高速模式的提前信号的上升沿对所述高速模式使能信号进行采样后再取反得到所述标识信号，其中，所述高速模式的提前信号比所述高速模式使能信号早一预定时间，该预定时间大于低压差线性稳压器的反应时间，所述第二控制信号的延迟信号比所述第二控制信号延迟一定时间。