[发明专利]一种键合结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610597083.6 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107658282A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种键合结构及其制造方法，所述键合结构具有若干凹槽的图形化晶圆；氧化层，形成于所述图形化晶圆表面，所述氧化层中具有被去除部分氧化层所形成的缓冲槽；键合金属层，形成于所述氧化层上。所述制造方法包括以下步骤，步骤S1提供一具有若干凹槽的图形化晶圆；步骤S2于所述图形化晶圆表面形成氧化层，并去除部分的氧化层形成缓冲槽；步骤S3于所述氧化层上形成键合金属层。本发明提供的一种键合结构及其制造方法，用于解决现有技术中，在键合工艺中，由于压力导致晶圆的前层工艺形成的图形结构发生破损的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种键合结构的制造方法，其特征在于，所述键合结构的制造方法包括以下步骤：步骤S1：提供一具有若干凹槽的图形化晶圆；步骤S2：于所述图形化晶圆表面形成氧化层，并去除部分的氧化层形成缓冲槽；步骤S3：于所述氧化层上形成键合金属层。
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