[发明专利]半导体装置的制造方法和衬底处理装置在审
| 申请号： | 201610615796.0 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107293514A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 芦原洋司;大桥直史;竹田刚;菊池俊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法和衬底处理装置。是可在形成有空气间隙的半导体装置中实现良好的特性的技术。为了解决上述问题，本发明提供的技术包括将衬底搬入到处理室中的工序，所述衬底具有第一布线层和第一防扩散膜，所述第一布线层具有第一层间绝缘膜、形成在所述第一层间绝缘膜之上作为布线使用的多个含铜膜、使所述含铜膜间绝缘的布线间绝缘膜以及设于所述多个含铜膜之间的空隙，所述第一防扩散膜形成在所述含铜膜上表面的一部分表面之上并构成为抑制所述含铜膜的成分扩散；和形成第二防扩散膜的工序，所述第二防扩散膜形成在所述含铜膜上的没有形成所述第一防扩散膜的其他部分的表面之上，构成为抑制所述含铜膜的成分扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 衬底 处理 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：将衬底搬入到处理室中的工序，所述衬底具有第一布线层和第一防扩散膜，所述第一布线层具有第一层间绝缘膜、形成在所述第一层间绝缘膜之上作为布线使用的多个含铜膜、使所述含铜膜之间绝缘的布线间绝缘膜以及设在所述多个含铜膜之间的空隙，所述第一防扩散膜形成在所述含铜膜上表面的一部分的表面之上并以抑制所述含铜膜的成分扩散的方式构成；和形成第二防扩散膜的工序，所述第二防扩散膜形成在所述含铜膜之上的没有形成所述第一防扩散膜的其他部分的表面之上，其以抑制所述含铜膜的成分扩散的方式构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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