[发明专利]快恢复二极管制作方法及由该方法制作的快恢复二极管有效
| 申请号： | 201610618733.0 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107680907B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 郭润庆;陈芳林;颜骥;高建宁 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种快恢复二极管制作方法及由该方法制作的快恢复二极管，制作方法包括以下步骤：1)选取N型硅圆片；2)进行铝预沉积，使硅圆片内形成PNP型纵向结构；3)保护硅圆片的阳极面，去除硅圆片的阴极面的PN结，使硅圆片内形成PN型纵向结构；4)在硅圆片的阳极面进行硼离子注入；5)在硅圆片的阳极面进行铝、硼杂质深结扩散，使硅圆片内形成P |
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| 搜索关键词： | 恢复 二极管 制作方法 方法 制作 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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