[发明专利]一种肖特基器件在审
| 申请号： | 201610621643.7 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN107665927A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基器件，为多个第一沟槽和多个第二沟槽，交替排列位于漂移层表面，第一沟槽深度大于第二沟槽，第二导电区，为第二导电半导体材料，临靠第一沟槽和第二沟槽底部，第一沟槽第二导电区和第二沟槽第二导电区在器件表面的投影交替排列；本发明的肖特基器件漂移层中设置有不同深度的第二导电区，实现提高肖特基器件的反向阻断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 器件 | ||
【主权项】：
一种肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个第一沟槽和多个第二沟槽，交替排列位于漂移层表面，第一沟槽深度大于第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽包括具有不同宽度为同一次刻蚀制造形成，第一沟槽和第二沟槽内设置绝缘材料、半导体材料或绝缘材料内壁包裹导电材料，其中导电材料包括为金属或掺杂多晶半导体材料；第二导电区，为第二导电半导体材料，临靠第一沟槽和第二沟槽底部，第一沟槽第二导电区和第二沟槽第二导电区不相连，第一沟槽第二导电区和第二沟槽第二导电区在器件表面的投影交替排列，第一沟槽第二导电区和第二沟槽第二导电区在器件表面的投影边缘包括部分或全部交叠；肖特基势垒结，位于漂移层表面。
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