[发明专利]摄像装置和电子设备有效
申请号: | 201610624836.8 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN106206635B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 万田周治;桧山晋;志贺康幸 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种摄像装置和电子设备。其中,摄像装置可包括半导体基板,其具有第一侧和第二侧;光电转换部,其设置在所述半导体基板中;像素分隔凹槽,其设置在所述半导体基板中并且邻近于所述光电转换部;多个绝缘膜,其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧;以及氧化硅膜,其中,所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分,所述氧化硅膜接触第一绝缘膜的表面以及第二绝缘膜的表面,第一绝缘膜设置在所述像素分隔凹槽的内部,第二绝缘膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm,并且第一绝缘膜和第二绝缘膜由相同材料制成。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种摄像装置,包括:半导体基板,其具有第一侧和第二侧;光电转换部,其设置在所述半导体基板中;像素分隔凹槽,其设置在所述半导体基板中并且邻近于所述光电转换部;多个绝缘膜,其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧;以及氧化硅膜,其中,所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分,所述氧化硅膜接触所述多个绝缘膜中的第一绝缘膜的表面以及所述多个绝缘膜中的第二绝缘膜的表面,所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜设置在所述像素分隔凹槽的内部,所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm,其中,所述多个绝缘膜中的所述第一绝缘膜和所述多个绝缘膜中的所述第二绝缘膜以从所述半导体基板的所述第一侧的层叠顺序形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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