[发明专利]离子注入装置及使用该装置的多片晶片的处理方法

摘要

本发明提供离子注入装置及使用该装置的多片晶片的处理方法。第1及第2输送机构(80，85)将两片一组的晶片从晶片容器(59)经由缓冲装置(60)输送至对准装置(66)，对准后分别向第1及第2装载锁定室(53，54)各送入一片。中间输送机构(90)将两片一组的晶片的一片从第1装载锁定室输送至真空处理室(16)，离子注入处理后从真空处理室输送至第1装载锁定室，将两片一组的晶片的另一片从第2装载锁定室输送至真空处理室，离子注入处理后从真空处理室输送至第2装载锁定室。第1及第2输送机构(80，85)将两片一组的注入处理完的晶片从第1及第2装载锁定室(53，54)送出并存放到晶片容器(59)中。

主权项

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：真空处理室，进行离子注入处理；中间输送室，与所述真空处理室连通设置；第1装载锁定室及第2装载锁定室，在隔着所述中间输送室而相对置的各位置与所述中间输送室连通设置；中间输送机构，设置在所述中间输送室，且实现经由所述中间输送室的所述真空处理室与所述第1装载锁定室之间的晶片输送、及经由所述中间输送室的所述真空处理室与所述第2装载锁定室之间的晶片输送；第1输送机构，设置在与所述第1装载锁定室相对置的位置，且实现向所述第1装载锁定室送入晶片及从所述第1装载锁定室送出晶片；第2输送机构，设置在与所述第2装载锁定室相对置的位置，且实现向所述第2装载锁定室送入晶片及从所述第2装载锁定室送出晶片；对准装置，设置在所述第1输送机构与所述第2输送机构之间的位置，且构成为可调整晶片的旋转位置；缓冲装置，设置在所述第1输送机构与所述第2输送机构之间的位置，且构成为可暂时保持两片以上的晶片；装载端口，将存放有成为所述离子注入处理的对象的多片晶片的晶片容器固定在与所述第1输送机构相对置的位置；及控制装置，用于控制至少所述第1输送机构及所述第2输送机构的动作，所述第1输送机构具有可保持晶片的第1臂及可保持晶片的第2臂，所述第2输送机构具有可保持晶片的第3臂及可保持晶片的第4臂，所述控制装置对被存放到所述晶片容器且按顺序被输送而成为所述离子注入处理对象的多片晶片中的第1晶片及第2晶片进行如下控制：(a)以所述第1臂及所述第2臂将所述第1晶片及所述第2晶片从所述晶片容器输送至所述缓冲装置的方式使所述第1输送机构动作；(b)以所述第3臂将所述第1晶片从所述缓冲装置输送至所述对准装置，所述第4臂将所述第2晶片从所述缓冲装置送出并进行暂时保持的方式使所述第2输送机构动作；(c)以所述第3臂将完成对准的所述第1晶片从所述对准装置送出，所述第4臂将所述第2晶片送入所述对准装置的方式使所述第2输送机构动作；(d)以所述第3臂将完成对准的所述第1晶片送入所述第2装载锁定室的方式使所述第2输送机构动作；及(e)以所述第1臂将完成对准的所述第2晶片从所述对准装置输送至所述第1装载锁定室的方式使所述第1输送机构动作。