[发明专利]图案化光阻的形成方法及其结构有效
| 申请号： | 201610630737.0 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107689321B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈林;茹捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图案化光阻的形成方法及其结构，包括：提供一基底，在基底表面涂覆第一光阻层；对第一光阻层进行第一次曝光，在第一光阻层中形成第一子图案区域以及第一待去除区域；在所述第一子图案区域上形成一金属氧化物薄膜；涂覆第二光阻层，第二光阻层覆盖金属氧化物薄膜和第一光阻层；对第二光阻层进行第二次曝光，在金属氧化物薄膜上的第二光阻层中形成第二子图案区域，在第一待去除区域上的第二光阻层中形成第二待去除区域。本发明通过在基底上至少分两步涂覆图案化光阻，而且在第一子图案区域和第二子图案区域之间形成一金属氧化物薄膜，能够得到具有理想图案的图案化光阻的结构，利用其进行封装，可以提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 化光阻 形成 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种图案化光阻的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底表面涂覆第一光阻层；对所述第一光阻层进行第一次曝光，在所述第一光阻层中形成第一子图案区域以及第一待去除区域；在所述第一子图案区域上形成一金属氧化物薄膜；涂覆第二光阻层，所述第二光阻层覆盖所述金属氧化物薄膜和第一光阻层；以及对所述第二光阻层进行第二次曝光，在所述金属氧化物薄膜上的第二光阻层中形成第二子图案区域，在所述第一待去除区域上的第二光阻层中形成第二待去除区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
