[发明专利]宽带隙半导体器件有效
| 申请号： | 201610631426.6 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106449728B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·屈克;托马斯·艾兴格尔;弗朗茨·希尔勒;安东·毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;李春晖 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及宽带隙半导体器件，包括第一负载端子、第二负载端子、控制端子及具有漂移区的半导体本体(其由具有比硅的带隙更大的带隙的半导体材料形成)，并被配置成传导第一和第二负载端子间的负载电流。半导体器件包括：源极区，其被布置在半导体本体中并电连接到第一负载端子；毗邻区，其被布置在半导体本体中并将源极区与漂移区隔离；沟道，其沿垂直方向延伸到半导体本体中并包括第一电极和绝缘体。在沟道的底部区域处绝缘体沿垂直方向表现第一厚度并在沟道的顶部区域处沿第一横向方向表现第二厚度，第一厚度比第二厚度大至少1.5倍。毗邻区被布置成与绝缘体接触并且比沟道沿垂直方向延伸得更远，沟道底部区域和毗邻区沿第一横向方向表现重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(1)，包括第一负载端子(11)、第二负载端子(12)、控制端子(13)以及具有漂移区(101)的半导体本体(10)，其中，所述半导体本体(10)由具有比硅的带隙更大的带隙的半导体材料形成，并且被配置成在所述第一负载端子(11)与所述第二负载端子(12)之间传导负载电流，并且其中，所述半导体器件(1)包括：源极区(102)，其被布置在所述半导体本体(10)中，并且被电连接到所述第一负载端子(11)；毗邻区(103)，其被布置在所述半导体本体(10)中，并且将所述源极区(102)与所述漂移区(101)隔离；以及沟道(14)，其沿垂直方向(Z)延伸到所述半导体本体(10)中，并且包括：第一电极(131)，其被电连接到所述控制端子(13)；以及绝缘体(141)，其与所述毗邻区(103)相接触，所述绝缘体(141)将所述第一电极(131)与所述半导体本体(10)隔离，其中：所述绝缘体(141)在所述沟道(14)的底部区域(14‑1)处沿所述垂直方向(Z)表现出第一厚度(t1)，并且在所述沟道(14)的顶部区域(14‑2)处沿第一横向方向(X)表现出第二厚度(t2)，所述第一厚度(t1)比所述第二厚度(t2)大至少1.5倍；以及所述毗邻区(103)被布置成与所述绝缘体(141)相接触，并且与所述沟道(14)相比，沿所述垂直方向(Z)延伸更远，其中，所述沟道底部区域(14‑1)和所述毗邻区(103)沿所述第一横向方向(X)表现出重叠。
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