[发明专利]堆叠式电容结构有效
| 申请号： | 201610633299.3 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107689371B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 黄凯易;林圣纮;简育生;叶达勋 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/94;H01L23/64 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种堆叠式电容结构包含金氧半变容器与堆叠电容器，堆叠电容器电性连接金氧半变容器。金氧半变容器包含基板、栅极、第一源/漏极与第二源/漏极。基板具有阱区，栅极位于阱区上。第一源/漏极与一第二源/漏极分别形成于阱区中，位于栅极的相对两侧。堆叠电容器包含多个金属层，彼此相间隔地堆叠于栅极的上方，且位于一电感性元件的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种堆叠式电容结构，包含：一金氧半变容器，包含：一基板，具有一阱区；一栅极，位于该阱区上；以及一第一源/漏极与一第二源/漏极，分别形成于该阱区中，位于该栅极的相对两侧；以及一堆叠电容器，电性连接该金氧半变容器，其中该堆叠电容器包含多个金属层，彼此相间隔地堆叠于该栅极的上方，且位于一电感性元件的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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