[发明专利]高分子化合物、正型抗蚀剂组合物、层叠体及抗蚀剂图案形成方法有效

专利信息
申请号: 201610633731.9 申请日: 2016-08-04
公开(公告)号: CN106432574B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 土门大将;渡边聪;增永惠一;小竹正晃 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C08F212/14 分类号: C08F212/14;C08F232/08;C08F220/38;G03F7/039;G03F7/20
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李英艳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于提供一种高分子化合物,其适合作为能够形成抗蚀剂膜的抗蚀剂组合物的基础树脂,所述抗蚀剂膜能够形成具有极高的析像性、边缘粗糙度小、矩形度优异的图案。为了解决上述课题,提供一种高分子化合物,其特征在于,含有由下述通式(1c)所示的重复单元、以及选自由下述通式(2)所示的重复单元及由下述通式(3)所示的重复单元中的1种以上的重复单元;式(1c)中,Mb+表示由下述通式(a)所示的锍阳离子或由下述通式(b)所示的碘鎓阳离子。
搜索关键词: 高分子化合物 正型抗蚀剂 组合 层叠 抗蚀剂 图案 形成 方法
【主权项】:
1.一种高分子化合物,其特征在于,含有由下述通式(1c)所示的重复单元、以及选自由下述通式(2)所示的重复单元及由下述通式(3)所示的重复单元中的1种以上的重复单元;式(1c)中,R1表示氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基;A表示单键或可以夹杂杂原子的碳数1~30的直链状、或碳数3~30的支链状或环状二价烃基,该烃基中的氢原子的一部分或全部可以被包含杂原子的基团取代;n表示0或1;在A为单键时n必须为0;Mb+表示由下述通式(a)所示的锍阳离子或由下述通式(b)所示的碘鎓阳离子;R400‑I+‑R500   (b)式(a)、式(b)中,R100、R200、R300、R400及R500分别独立地为杂原子,或表示可以夹杂杂原子的碳数1~20的直链状、或碳数3~20的支链状或环状一价烃基,该烃基中的氢原子的一部分或全部可以被包含杂原子的基团取代;此外,R100、R200及R300中的任意2个以上可以相互键接并与式中的硫原子一起形成环;式(2)、式(3)中,G表示单键、或可以夹杂醚性氧原子的碳数1~10的亚烷基;D表示单键、或醚性氧原子、羰基、或者可以夹杂羰氧基的碳数1~10的直链状、或碳数3~10的支链状或环状的(v+1)价脂肪族烃基,该脂肪族烃基中的氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代;R1与前述相同;R2分别表示氢原子、卤素原子、碳数2~8的直链状、或碳数3~8的支链状或环状酰氧基、碳数1~6的直链状、或碳数3~6的支链状或环状烷基、或碳数1~6的直链状、或碳数3~6的支链状或环状烷氧基,前述酰氧基、前述烷基及前述烷氧基中的氢原子的一部分或全部可以被卤素取代;Rf1、Rf2分别表示具有至少1个氟原子的碳数1~6的烷基,Rf1可以与D键接而和它们所键接的碳原子一起形成环;g为0~3的整数,h、v分别为1或2;p、r分别为0或1,但当r为0时,p为1,G为单键;t、u分别为0~2的整数,b为(5+2t‑g)的整数,c为(5+2u‑h)的整数。
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