[发明专利]LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201610640140.4 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107689404A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)11447 | 代理人： | 王晓霞,南毅宁 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片的制备方法。所述制备方法包括在衬底的上方生成保护层，形成保护结构；在所述保护结构上进行切割生成凹槽，形成第一凹槽结构，所述凹槽穿透所述保护层并延伸到所述衬底的内部；将所述第一凹槽结构在保护层洗涤溶液中进行保护层洗涤，以去除所述保护层，形成第二凹槽结构；在所述第二凹槽结构的上方形成外延层；在所述外延层上设置正电极和负电极，生成芯片结构；将所述芯片结构沿着所述凹槽进行崩裂，生成多个LED芯片。本公开的LED芯片的制备方法先对衬底进行切割形成凹槽，然后再形成外延层，能够避免切割凹槽时的高温对外延层造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底(1)的上方生成保护层(6)，形成保护结构；在所述保护结构上进行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽结构，所述凹槽(4)穿透所述保护层(6)并延伸到所述衬底(1)的内部；将所述第一凹槽结构在保护层洗涤溶液中进行保护层洗涤，以去除所述保护层(6)，形成第二凹槽结构；在所述第二凹槽结构的上方形成外延层(2)；在所述外延层(2)上设置正电极(11)和负电极(3)，生成芯片结构；将所述芯片结构沿着所述凹槽(4)进行崩裂，生成多个LED芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610640140.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：片体集中处理设备
- 下一篇：紫外LED外延结构及其生长方法
