[发明专利]图案化光阻的形成方法有效
| 申请号： | 201610643230.9 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107703722B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈林;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图案化光阻的形成方法，包括：提供一基底，在基底表面涂覆第一光阻层；对第一光阻层进行第一次曝光、显影，形成第一子图案和若干个沟槽，并且对所述第一子图案进行第一次加热固化处理；在沟槽中形成一牺牲区域，然后去除牺牲区域；涂覆第二光阻层，第二光阻层填充沟槽，并覆盖第一子图案；对第二光阻层进行第二次曝光、显影，在第一子图案上形成第二子图案。本发明通过在基底上至少分两步涂覆图案化光阻，相应的至少分两次进行曝光工艺，形成的子图案的结构理想；而且在去除牺牲区域的时候可以改善第一子图案的表面形貌，使得第一子图案的结构更加稳固和均匀，能够得到具有理想图案的图案化光阻的结构，可以提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 化光阻 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图案化光阻的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底表面涂覆第一光阻层；对所述第一光阻层进行第一次曝光、显影，形成第一子图案和若干个沟槽，并且对所述第一子图案进行第一次加热固化处理；在所述沟槽中形成一牺牲区域，然后去除所述牺牲区域；涂覆第二光阻层，所述第二光阻层填充所述沟槽，并覆盖所述第一子图案；对所述第二光阻层进行第二次曝光、显影，在所述第一子图案上形成第二子图案。
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