[发明专利]接合结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610643423.4 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106601622B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李明机;刘重希;古进誉;郭宏瑞;亚历山大·卡尔尼茨基;何明哲;吴逸文;陈清晖;刘国洲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括在导电焊盘上方形成第一介电层，在第一介电层上方形成第二介电层并且蚀刻第二介电层以形成第一开口，第一介电层的顶面暴露于第一开口。形成模板层以填充第一开口。然后，在模板层和第一介电层中形成第二开口，导电焊盘的顶面暴露于第二开口。在第二开口中形成导电柱。本发明的实施例还涉及接合结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成接合结构的方法，包括：在导电焊盘上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第二介电层；蚀刻所述第二介电层以形成第一开口，所述第一介电层的顶面暴露于所述第一开口；形成填充所述第一开口的模板层；在所述模板层和所述第一介电层中形成第二开口，所述导电焊盘的顶面暴露于所述第二开口；以及在所述第二开口中镀导电柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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