[发明专利]分布反馈半导体激光器及其制备方法有效
申请号: | 201610646149.6 | 申请日: | 2016-08-09 |
公开(公告)号: | CN107706738B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 王健;罗毅;孙长征;熊兵 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12;H01S5/32 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 郑海威 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种分布反馈(DFB)半导体激光器。所述DFB半导体激光器包括光栅和输出光端面,该光栅位于条状波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧,由周期性的半导体和绝缘材料构成;所述输出光端面为刻蚀形成的垂直于衬底表面的端面,所述DFB半导体激光器无需解离就可以进行端面镀膜。本发明还涉及上述DFB半导体激光器的制备方法,所述DFB半导体激光器在整个制备方法中只需要一次外延,通过刻蚀波导两侧的欧姆接触层和上限制层、并填充绝缘材料实现所述DFB半导体激光器的光栅,通过刻蚀波导两端的上限制层、有源层、下限制层和一部分衬底以及整个晶片镀膜实现DFB半导体激光器的输出光端面。 | ||
搜索关键词: | 分布 反馈 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种DFB半导体激光器,包括光栅和两个端面,其特征在于:所述光栅为表面光栅,所述端面为刻蚀形成的端面。
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