[发明专利]磁性隧道结器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610648445.X | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN106601904B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·H·迪亚兹;庄学理;李汝谅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括图案化金属层以形成多个底电极部件，通过视线沉积工艺形成磁性隧道结(MTJ)堆叠件使得在底电极部件上形成MTJ堆叠件的第一部分，并且在与底电极部件的顶面不同的水平上形成MTJ堆叠件的第二部分，以及实施去除工艺以去除MTJ堆叠件的第二部分而留下基本完整的MTJ堆叠件的第一部分。本发明的实施例还涉及磁性隧道结器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成磁性隧道结器件的方法，包括：/n图案化金属层以形成多个底电极部件；/n通过视线沉积工艺形成磁性隧道结(MTJ)堆叠件，使得在所述底电极部件上形成所述磁性隧道结堆叠件的第一部分，并且在与所述底电极部件的顶面不同的水平上形成所述磁性隧道结堆叠件的第二部分；以及/n实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分而留下完整的所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分；/n在所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分上沉积介电层；以及/n在所述介电层内形成连接至所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的接触件。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610648445.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
