[发明专利]一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法

摘要

一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法，分4个步骤：1，根据硅靶材目标极性、电阻率，计算出对应硼或磷差值含量范围；2，a、根据已知不同硅原料的品质、掺杂剂种类、用量，初步配置生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量；b、选择设置生产使用的单晶炉拉晶或铸锭炉长晶参数，及有效分凝系数；3，根据定向凝固杂质分凝理论，测算得到硅晶体每段长度掺杂差值浓度分布数据，换算出相应的极性、电阻率；4，比较测算数值与硅靶材目标值，再次调整硅原料配料硼磷含量，最终确定硅晶体材料最佳利用率时配料的各项参数。本测算方法简单、快捷、可靠，可任意调节预想得到的硅靶材极性、电阻率，可实际指导生产，开拓硅料来源，大大提高产品利用率。

主权项

1.一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法，其特征在于：该测算方法借助EXCEL软件强大的表格公式套用计算能力，进行程序编程计算，共分为4个步骤：第1步骤：根据硅靶材目标极性P型或N型、电阻率上限、下限，计算出对应硼或磷原子浓度、对应的硼差值含量范围或磷差值含量范围；第2步骤：a、根据已知生产现有不同极性、电阻率的硅原料或硅原料经化验检测的硼磷含量，掺杂剂种类、用量，初步配置生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量，其硼磷含量差值控制在第1步骤目标电阻率上、下限对应的硼或磷差值含量范围内；b、选择设置实际生产单晶炉拉晶参数或铸锭炉长晶参数，及设置晶体生长速度参数计算硼磷有效分凝系数；第3步骤：根据第2步骤初步配置原料参数、生产用炉参数、有效分凝系数参数，及定向凝固杂质分凝理论，理论模拟测算得出硅晶体每段长度的掺杂差值浓度分布，并换算得到相应的极性、电阻率；第4步骤：根据第3步骤得到的极性、电阻率与硅靶材目标极性、电阻率比较，重复调整第2步骤生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量，并相应计算得到第3步骤硅晶体每段长度相应的极性、电阻率，最终确定所需的最佳电阻率即晶体材料最佳可利用率时，配料中使用不同极性、电阻率的硅原料的重量，掺杂剂种类、掺杂剂重量，配料后得到的硼磷含量技术参数。