[发明专利]反应腔室以及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201610653139.5 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107731650B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郭浩;郑金果;赵梦欣;侯珏;陈鹏;杨敬山;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室以及半导体加工设备，其包括基座、基座升降机构、压环、预沉积内衬组件和接地机构，其中，基座用于承载晶片；基座升降机构用于驱动基座上升或下降；压环用于在基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且压环在基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与基座相分离；预沉积内衬组件环绕设置在基座和压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子沉积到反应腔室的底部；接地机构用于分别将预沉积内衬组件和基座接地。本发明提供的反应腔室，其可以在进行预沉积工艺时，既实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，从而可以提高设备的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 以及 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，包括基座、基座升降机构和压环，所述基座用于承载晶片；所述基座升降机构用于驱动所述基座上升或下降；所述压环用于在所述基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且所述压环在所述基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与所述基座相分离，其特征在于，还包括：/n预沉积内衬组件，环绕设置在所述基座和所述压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子通过所述压环与所述基座之间的缝隙沉积到所述反应腔室的底部；/n接地机构，用于分别将所述预沉积内衬组件和所述基座与所述反应腔室的底部腔室壁电导通，所述反应腔室的底部腔室壁接地；并且，/n所述反应腔室还包括：/n内衬升降机构，用于驱动所述预沉积内衬组件上升或下降。/n
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