[发明专利]衬底结构、半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610657471.9 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106629570A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 洪蔡豪;郭仕奇;李宗宪;刘陶承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构。该衬底结构包括盖和微电子机械系统(MEMS)衬底。该盖具有腔，并且MEMS衬底设置在盖上。MEMS衬底具有暴露腔的多个孔洞，并且该孔洞的纵横比大于30。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构，包括：盖，具有腔；以及微电子机械系统(MEMS)衬底，设置在所述盖上，所述MEMS衬底具有暴露所述腔的多个孔洞，并且所述孔洞的纵横比大于30。
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