[发明专利]自对准互连结构和方法

摘要

本发明提供了方法，方法包括：提供具有第一介电材料层和被第一介电材料层的部分彼此横向隔开的第一导电部件的衬底；在第一介电材料层和第一导电部件上沉积第一蚀刻停止层，由此形成具有与第一介电材料层的部分自对准的富氧部分和与第一导电部件自对准的贫氧部分的第一蚀刻停止层；实施选择性去除工艺以选择性去除第一蚀刻停止层的贫氧部分；在第一导电部件和第一蚀刻停止层的富氧部分上形成第二蚀刻停止层；在第二蚀刻停止层上形成第二介电材料层；以及在第二介电材料层中形成导电结构。本发明实施例涉及自对准互连结构和方法。

主权项

1.一种制造集成电路的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一介电材料层和嵌入在所述第一介电材料层中并且被所述第一介电材料层的部分彼此横向隔开的第一导电部件；在所述第一介电材料层和所述第一导电部件上沉积第一蚀刻停止层，由此形成所述第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层具有与所述第一介电材料层的所述部分自对准的富氧部分和与所述第一导电部件自对准的贫氧部分；实施对所述第一蚀刻停止层的选择性去除工艺，由此选择性地去除所述第一蚀刻停止层的所述贫氧部分；在所述第一导电部件和所述第一蚀刻停止层的所述富氧部分上形成第二蚀刻停止层，其中，所述第二蚀刻停止层在组成上不同于所述第一蚀刻停止层；在所述第二蚀刻停止层上形成第二介电材料层；以及在所述第二介电材料层中形成导电结构，其中，所述导电结构与至少一个所述第一导电部件电连接。