[发明专利]一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台

摘要

本发明公开了一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台，相关方法包括获取输入的近红外单光子雪崩光电二级管的在预定工作温度下的结构参数；根据结构参数并结合高斯方程计算近红外单光子雪崩光电二级管的电场分布，进而得到近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率；根据得到的雪崩概率与电场分布计算近红外单光子雪崩光电二级管的本征参数。该方案适合于所有采用分离吸收—渐变—电荷—倍增(SAGCM)异质结结构的III‑V材料体系，实现了单光子雪崩光电二极管结构参数和工作条件的全局优化。

主权项

一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法，其特征在于，包括：获取输入的近红外单光子雪崩光电二级管的在预定工作温度下的结构参数；根据结构参数并结合高斯方程计算近红外单光子雪崩光电二级管的电场分布，进而得到近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率；根据得到的雪崩概率与电场分布计算近红外单光子雪崩光电二级管的本征参数；其中，计算近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率的公式包括：dPedx=(1-Pe)αe[Pe+Ph-Pe·Ph];]]>dPhdx=-(1-Ph)αh[Pe+Ph-Pe·Ph];]]>上式中，Pe与Ph分别为电子与空穴在近红外单光子雪崩光电二级管倍增层内x'位置触发雪崩的概率，αe与αh分别为电子与空穴在近红外单光子雪崩光电二级管倍增层内x'位置处的电离系数；则电子与空穴对在近红外单光子雪崩光电二级管倍增层内x位置触发雪崩的概率Pb(x')为：Pb(x')＝1‑(1‑pe(x'))(1‑ph(x'))。