[发明专利]与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法在审
| 申请号： | 201610676009.3 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106298981A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 崔伟;张霞;朱坤峰;黄东;钱呈;谭开洲;杨永晖;梁柳洪;汪璐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/336 |
| 代理公司： | 重庆信航知识产权代理有限公司50218 | 代理人： | 江涛 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法，该方法首先制作双多晶电容的下极板和介质层，然后在制作MOS管的多晶硅栅的同时制作双多晶电容上极板，由此可以减少MOS管多晶硅栅的侧壁残留，另外，相比于在制作MOS管的多晶硅栅的同时制作双多晶电容下极板，可以提高多晶电容上极板厚度，这样可以避免接触孔过刻蚀时引起的双多晶电容短路，并可以减小接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | mos 集成 多晶 电容 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种与MOS管集成的双多晶电容结构制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底表面形成阱；在所述阱表面形成场氧化层；在选定的场氧化层的表面向上依次形成双多晶电容的下极板和介质层；在所述选定的场氧化层未覆盖的区域形成栅氧化层；在所述栅氧化层和所述介质层的表面淀积第一多晶硅层，以使在所述栅氧化层的表面形成的多晶硅与所述栅氧化层构成MOS管的多晶硅栅，在所述介质层的表面形成的多晶硅构成所述双多晶电容的上极板；形成所述MOS管的掺杂源漏区。
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