[发明专利]FinFET隔离结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610680208.1 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN106684116B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的半导体鳍，其中，该半导体鳍在由两个单元共有的共同边界处具有鳍隔离结构。该鳍隔离结构具有从半导体鳍的顶部延伸至位于半导体衬底上的停止层的介电部分。该介电部分将半导体鳍分成半导体鳍的两部分。本发明的实施例还涉及FinFET隔离结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；停止层，位于所述半导体衬底上；半导体鳍，位于所述停止层上；以及彼此邻近的两个单元，位于所述半导体鳍上，所述半导体鳍在由所述两个单元共有的共同边界处具有鳍隔离结构，所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述停止层的介电部分，其中，所述介电部分将所述半导体鳍分成所述半导体鳍的两部分。
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