[发明专利]封装件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610688826.0 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106887422B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 余振华;林俊成;符策忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层，并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装件结构，包括：衬底；在所述衬底上方形成的半导体管芯；邻近所述半导体管芯的封装件层；在所述封装件层中形成的导电结构；在所述导电结构上形成的第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层包括一价金属氧化物；以及在所述第一绝缘层和所述封装件层之间形成的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且其中，所述第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于所述第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。
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