[发明专利]压力传感器的封装方法有效

专利信息
申请号: 201610693394.2 申请日: 2016-08-19
公开(公告)号: CN107758606B 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 刘孟彬;毛剑宏 申请(专利权)人: 上海丽恒光微电子科技有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 李时云
地址: 201203 上海市浦东新区张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种压力传感器的封装方法,在所述压力传感器的封装方法中,在所述钝化层上键合一基板,所述基板覆盖所述第一开口,形成第二空腔,从而通过所述基板将压力传感器的第二空腔进行密封,通过晶圆级封装的方法,降低封装工艺的复杂度;并且,在所述基板和钝化层中形成通孔结构,可以实现将器件结构的电性引出,实现了将所述芯片(控制电路)与压力传感器在纵向上集成起来,有利于减小封装结构的横向面积。
搜索关键词: 压力传感器 封装 方法
【主权项】:
1.一种压力传感器的封装方法,其特征在于,包括:/n提供半导体晶圆,所述半导体晶圆包括多个芯片,所述多个芯片均包括感应区以及封装区,所述多个芯片内均设置有控制电路以及位于所述控制电路上的层间介质层,所述层间介质层中形成有第一互连结构,所述封装区的层间介质层暴露出所述第一互连结构的顶部,所述第一互连结构与所述控制电路电连接,所述多个芯片上均形成有一钝化层,所述钝化层和所述感应区的层间介质层之间形成第一空腔,所述第一空腔的顶壁形成有顶部电极,所述第一空腔的底壁形成有底部电极;/n选择性刻蚀所述钝化层,在所述钝化层中形成第一开口以及第二开口,所述第二开口位于所述第一开口中,所述第一开口至少位于部分所述第一空腔上,所述第二开口暴露出所述第一空腔上的部分所述顶部电极;/n在所述封装区上的钝化层中形成一钝化层通孔,所述钝化层通孔暴露出所述第一互连结构的顶部;/n在所述钝化层上键合一基板,所述基板覆盖所述第一开口,形成第二空腔;/n在所述封装区上的基板中形成一基板通孔,所述基板通孔和所述钝化层通孔导通;/n在所述基板通孔和钝化层通孔中填充导电材料形成通孔结构;/n在所述基板上形成垫片,所述垫片导通所述通孔结构。/n
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