[发明专利]压力传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201610696305.X | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN107764439B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘孟彬;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;B81C3/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李时云 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的上表面形成有底部电极；在所述半导体基底的上形成一介电层，在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极；在所述介电层上键合一晶圆，所述晶圆覆盖所述第一开口，并形成一空腔；减薄所述晶圆至一预定厚度；在减薄后的所述晶圆上形成一钝化层；以及选择性刻蚀所述钝化层，以暴露出所述空腔上的部分所述晶圆。本发明的压力传感器的制备方法中，顶部电极以晶圆方式键合到所述半导体基底上，避免在所述半导体基底上淀积多晶硅，从而避免使用高温。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体基底，所述半导体基底的上表面形成有底部电极；/n在所述半导体基底上形成一介电层，在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极；/n采用熔融工艺在所述介电层上键合一晶圆，所述熔融工艺的温度为250℃～350℃，所述晶圆覆盖所述第一开口，并形成一空腔；/n减薄所述晶圆至一预定厚度；/n在减薄后的所述晶圆上形成一钝化层；以及/n选择性刻蚀所述钝化层，以暴露出所述空腔上的部分所述晶圆。/n
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