[发明专利]一种方法、一种半导体器件以及一种层布置有效
| 申请号： | 201610698354.7 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106469710B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | S·R·耶杜拉;R·佩尔泽;S·韦勒特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/488;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：衬底；金属化层，被布置成以下中的至少一种：在衬底中或在衬底之上；至少部分布置在金属化层之上的保护层，其中金属化层包括铜、铝、金、银中的至少一种，并且其中保护层包括氮化物材料，氮化物材料包括铜、铝、金、银中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方法 半导体器件 以及 布置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n金属化层，被布置成在所述衬底中和/或在所述衬底之上；/n保护层，至少部分地被布置在所述金属化层之上，/n其中所述金属化层包括铜、铝、金、银中的至少一种；以及/n其中所述保护层包括氮化物材料，所述氮化物材料包括铜、铝、金、银中的至少一种，并且其中所述保护层至少包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域彼此不同，使得所述保护层的第一区域中的氮的浓度等于或大于20原子百分比并且所述保护层的第二区域中的氮的浓度在0.1原子百分比至1原子百分比之间，使得所述第一区域是电气半导体性的并且所述第二区域是电气导电的。/n
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