[发明专利]一种制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法，具体过程为以硫代钨酸铵和锂盐化合物为原料，通过简单的温度控制可以合成为插锂的1T相硫化钨块体，插锂的1T相硫化钨块体可以在水中水解自行剥离成1T相单层WS2纳米片，再与氧化石墨烯自组装形成单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料。本发明工艺操作简单，反应条件温和，所用试剂价格低廉，绿色环保。

主权项

一种制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法，其特征在于具体步骤为：（1）将硫代钨酸铵和锂盐化合物按1:2摩尔比混合研磨，研磨后的混合物在惰性气体保护下于800‑1300℃保温1‑10h，冷却至室温得到插锂的1T相硫化钨块体，所述的锂盐化合物为氢氧化锂、氯化锂、醋酸锂、碳酸锂、硫酸锂或硝酸锂中的一种或多种；（2）将插锂的1T相硫化钨块体直接置于去离子水中，辅助超声水解剥离5‑30min，再将得到的悬浮液置于离心机中，经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到单层1T相WS2纳米片悬浮液；（3）将氧化石墨烯加入到单层1T相WS2纳米片悬浮液中，超声分散5‑10min，然后加入水合肼继续超声0.5‑2h得到单层1T相WS2/石墨烯悬浮液，所述的氧化石墨烯与单层1T相WS2纳米片悬浮液中WS2的质量比为0.005‑0.2:1；（4）将得到的单层1T相WS2/石墨烯悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质，最后将沉淀物单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料分散于小分子溶剂中保存，其中单层1T相WS2纳米片的厚度小于1nm。