[发明专利]一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201610700396.X | 申请日: | 2016-08-23 |
公开(公告)号: | CN106129146B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 罗云荣;周如意;陈春玲;陈慧敏 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从上至下依次为金属正面电极1、n型重掺杂黑磷烯薄膜2、n型二硫化钼薄膜3、本征氢化纳米晶硅薄膜4、p型硒化锑薄膜5、p型重掺杂黑磷烯衬底6、金属背面电极7。本发明的优点在于以直接带隙半导体材料二硫化钼作为缓冲层,以具有高吸光系数的硒化锑作为吸收层,利用本征氢化纳米晶硅钝化pn结界面,降低界面的缺陷态密度,同时利用黑磷烯作为导电材料,减少电池的串联电阻,极大地增加了光电流,提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 黑磷 作为 导电 材料 硒化锑 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,首先在p型重掺杂黑磷烯衬底上利用肼溶液法或磁控溅射法或超声喷雾法沉积p型硒化锑薄膜,然后在p型硒化锑薄膜上利用等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射法制备本征氢化纳米晶硅薄膜,再在本征氢化纳米晶硅薄膜上利用化学气相沉积法或磁控溅射法沉积n型二硫化钼薄膜,接着在n型二硫化钼薄膜上利用化学气相沉积法或机械剥离法沉积n型重掺杂黑磷烯薄膜,最后在n型重掺杂黑磷烯薄膜表面以及p型重掺杂黑磷烯衬底上利用丝网印刷法或蒸镀法分别沉积金属正面和背面电极,即制得所需要的以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的