[发明专利]一种直拉单晶硅快速收尾方法有效
| 申请号： | 201610700757.0 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107761163B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 周宏坤;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 | 申请（专利权）人： | 银川隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 750021 宁夏回族自治区银*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种直拉单晶硅快速收尾方法，包括：前期，坩埚停止上升，提高热场温度，保持晶体生长速度、晶转、埚转速度不变，使晶体直径缩小；中期，降低晶体生长速度，驱动坩埚上升，然后降低加热功率、提高晶体和坩埚旋转速度，使热场温度上升趋势减缓；后期，坩埚停止上升，晶转、埚转速度不变，提高晶体生长速度，直至晶体直径缩小至25mm‑30mm时，将晶体提出熔硅液面，完成收尾。本发明的直拉单晶硅快速收尾方法在保持单晶硅晶体生长速度不变的前提下迅速缩小直径，然后降低晶体生长速度、提升晶体和坩埚转速、降低加热功率使热场温度上升趋势降低避免晶体尾部折断，最后迅速提升拉晶速度完成收尾，从而使得收尾时间大大缩短，成品率大大增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 快速 收尾 方法 | ||
【主权项】：
一种直拉单晶硅快速收尾方法，其特征在于，利用单晶炉使用直拉法拉制单晶硅棒到收尾工序后，包括以下阶段：收尾前期，坩埚停止上升，提高加热功率使热场温度升高，同时保持晶体生长速度、晶体旋转速度以及坩埚旋转速度不变，使晶体直径迅速缩小；收尾中期，降低所述晶体生长速度，同时驱动所述坩埚上升，所述坩埚上升速度小于收尾中期的晶体生长速度，保持一段时间后降低加热功率、提高晶体旋转速度和坩埚旋转速度，使热场温度上升趋势减缓；收尾后期，坩埚停止上升，晶体旋转速度和坩埚旋转速度保持不变，同时提高晶体生长速度，直至晶体直径缩小至25mm‑30mm时，将晶体提出熔硅液面，完成收尾工序。
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