[发明专利]Y‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法在审
| 申请号： | 201610703307.7 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107768516A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王勇;饶峰;宋志棠;吴良才;丁科元;李涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Y‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Y‑Sb‑Te相变材料为包括钇、锑及碲三种元素的化合物，所述Y‑Sb‑Te相变材料的化学式为Y100‑x‑ySbxTey，其中0<100‑x‑y<50，0.1≤ x/y ≤ 4。本发明的用于相变存储器的YSbTe系列相变材料具有较快的结晶速度及较高的沉积态稳定性，其在电脉冲作用下可以实现可逆相变，相变前后有电阻高低差异之分，差值较大，可以分辨出“0”、“1”，是一种理想的相变材料，可用于制备相变存储器单元。所述YSbTe系列相变材料可采用多种方法制备，其中磁控溅射法比较灵活，可以方便制得组分可调、质量较高的Y100‑x‑ySbxTey复合薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | sb te 相变 材料 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Y‑Sb‑Te相变材料，其特征在于，所述Y‑Sb‑Te相变材料为包括钇、锑及碲三种元素的化合物，所述Y‑Sb‑Te相变材料的化学式为Y100‑x‑ySbxTey，其中0<100‑x‑y<50，0.1≤x/y≤4。
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