[发明专利]一种P型埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201610704134.0 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106206711B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;陈欣;魏家行;杨翰琪;任晓飞;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型埋层 algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底(1)，在Si基衬底(1)上形成有AlN成核层(2)，在AlN成核层(2)上形成有本征GaN层(3)，在本征GaN层(3)上形成有AlGaN掺杂层(4)，在所述AlGaN掺杂层(4)的上表面形成栅氧化层(5)，在栅氧化层(5)上表面形成栅极(6)，在AlGaN掺杂层(4)和栅极(6)上覆盖有钝化层(9)，在栅极(6)一侧形成有源极(7)，所述源极(7)始于本征GaN层(3)的上部、贯穿AlGaN掺杂层(4)并止于钝化层(9)内，在栅极(6)另一侧形成有漏极(8)，所述漏极(8)始于本征GaN层(3)的上部、贯穿AlGaN掺杂层(4)并止于钝化层(9)内，其特征在于，在AlN成核层(2)中形成有P型AlGaN掺杂区埋层(10)，所述P型AlGaN掺杂区埋层(10)上表面与本征GaN层(3)的下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层(10)两侧的一个边界位于栅极(6)下方，P型AlGaN掺杂区埋层(10)两侧的另一个边界位于栅极(6)和漏极(8)之间区域的下方。
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