[发明专利]溅射靶材用硅锆合金的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610707859.5 申请日: 2016-08-23
公开(公告)号: CN106367625A 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 李鹏廷;王凯;任世强;谭毅;姜大川 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C22C1/05 分类号: C22C1/05;C22C28/00
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司21212 代理人: 李馨
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种溅射靶材用硅锆合金的制备方法,其特征在于,包括如下步骤筛选后的高纯硅粉和水封锆粉经清洗处理和烘干处理,提高纯洁度;按照预设比例将高纯硅粉和水封锆粉置于容器中,制成均匀分布的混合粉;将混合均匀的混合粉过筛,放入坩埚中,再将坩埚放入石墨模具中,装入热压炉腔内部;采用惰性气体加压,在真空环境下热压烧结,轴向施压,升温到1000‑1500℃,保温预设时间;保温程序结束后,降温处理,在400℃以下关闭抽真空设备,炉体自然冷却降温,最终获得热压烧结好的硅锆合金铸锭。本发明硅锆合金靶材的制备方法工艺流程简单,能耗少,成本低,且制备的靶材组织成分分布均匀,具有优异的溅射使用性能。
搜索关键词: 溅射 靶材用硅锆 合金 制备 方法
【主权项】:
一种溅射靶材用硅锆合金的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、筛选后的高纯硅粉和水封锆粉经清洗处理和烘干处理,提高纯洁度;S2、按照预设比例将高纯硅粉和水封锆粉置于容器中,制成均匀分布的混合粉;S3、将混合均匀的混合粉过筛,放入坩埚中,再将坩埚放入石墨模具中,装入热压炉腔内部;S4、采用惰性气体加压,在真空环境下热压烧结,轴向施压,升温到1000‑1500℃,保温预设时间;S5、保温程序结束后,降温处理,在400℃以下关闭抽真空设备,炉体自然冷却降温,最终获得热压烧结好的硅锆合金铸锭。
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