[发明专利]纳米三氧化二铝低温等离子体改性处理方法有效
| 申请号： | 201610710813.9 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106317714B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 于水利;刘建伟 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/10;C08K3/22;C01F7/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米三氧化二铝低温等离子体改性处理方法，该方法包括以下步骤：(1)根据待接枝单体在纳米三氧化二铝颗粒表面的负载率大小，选用不同的单体负载方式，即：直接负载或者溶剂辅助负载；以及(2)将表面负载了待接枝单体的纳米三氧化二铝颗粒进行低温等离子体处理，其中，处理功率为10W～150W，时间为0.1s～3600s，温度为10‑400℃，低温等离子体诱发纳米三氧化二铝颗粒表面的单体聚合，实现纳米三氧化二铝的表面改性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米三氧化二铝 低温等离子 接枝单体 颗粒表面 低温等离子体处理 低温等离子体 表面负载 表面改性 处理功率 单体聚合 辅助负载 负载方式 直接负载 负载率 溶剂 诱发 | ||
【主权项】：
1.一种纳米三氧化二铝低温等离子体改性处理方法，该方法包括以下步骤：（1）选择直接负载或者溶剂辅助负载的方式将待接枝单体负载在纳米三氧化二铝颗粒表面；其中，所述待接枝单体为甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸羟乙酯、乙烯吡咯烷酮或者它们的混合物；以及（2）将表面负载了待接枝单体的纳米三氧化二铝颗粒进行低温等离子体处理，其中，处理功率为10W~150W，时间为0.1s~30分钟，温度为200‑400℃，低温等离子体诱发纳米三氧化二铝颗粒表面的单体聚合，实现纳米三氧化二铝的表面改性。
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