[发明专利]使用硅原料的成膜装置

摘要

本发明提供一种用硅原料的成膜装置，其在成为试样的基材上形成薄膜层，所述成膜装置具有具备试样保持机构及排气机构的反应室，所述反应室包括原料供给部件，将硅原料与氧化性气体混合；能量供给部件，施加能量使所述硅原料氧化而形成薄膜层；以及未反应的原料回收部件，使未反应的原料在所述排气机构中分解或者吸附于分解物上；并且所述硅原料为含有硅、氧及碳的至少一种有机化合物，以在将所述硅原料1分子化学计量性地完全氧化的情况下所生成的全氧化物的合计分子数A与所述硅原料中所含的硅的原子数B满足(A‑B)/B≤6.75的关系的方式来调整供给量。

主权项

一种成膜装置，其在成为试样的基材上形成薄膜层，所述成膜装置的特征在于：具有反应室，所述反应室具备：载置所述试样的试样保持机构以及包含排气系统配管的排气机构，所述反应室包括：原料供给部件，在所载置的所述试样的附近将成为所述薄膜层的原料的硅原料与氧化性气体混合；能量供给部件，对所供给的所述硅原料与所述氧化性气体施加能量，利用所述氧化性气体使所述硅原料氧化而形成薄膜层；以及未反应的原料回收部件，使未供给至所述氧化的未反应的原料在所述排气机构中分解或者吸附于分解物上；并且所述硅原料为含有硅、氧及碳的至少一种有机化合物，在能量供给工序中，以在将所述硅原料1分子化学计量性地完全氧化的情况下所生成的全氧化物的合计分子数A与所述硅原料中所含的硅的原子数B满足(A‑B)/B≤6.75的关系的方式，调整所述硅原料以及所述氧化性气体的至少任一个的供给量。