[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610712894.6 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106653846B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 吴育昇;蔡振华;陈豪育;宋家玮;曹志彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云;王芝艳<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法中，形成掺杂第一掺杂物的一掺杂层于一基底上。形成一半导体层于掺杂层上。通过至少图案化半导体层及掺杂层而形成一鳍结构，使鳍结构包括具有半导体层的沟道区及具有掺杂层的阱区。形成一隔离绝缘层，使鳍结构的沟道区突出于隔离绝缘层，而鳍结构的阱区埋入于隔离绝缘层内。形成一栅极结构于部分的鳍结构及隔离绝缘层上方。半导体层至少为掺杂的硅层及未掺杂的硅层的其中之一者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括︰/n形成一第一外延层于一半导体基底上；/n注入一掺杂物于该第一外延层下方的该半导体基底内，以形成一掺杂层；/n形成一半导体层于该第一外延层上，其中该半导体层于一温度下形成，而该温度造成该掺杂层内的部分掺杂物扩散于该第一外延层及该半导体层内；/n通过至少图案化该半导体层、该第一外延层及该掺杂层，以形成一鳍结构，使该鳍结构包括具有该半导体层的一沟道区及具有该掺杂层的一阱区；/n形成一隔离绝缘层，使该鳍结构的该沟道区突出于该隔离绝缘层，而该鳍结构的该阱区埋入于该隔离绝缘层内；以及/n形成一栅极结构于部分的该鳍结构及该隔离绝缘层上方；/n其中该半导体层为一掺杂的硅层及一未掺杂的硅层的其中的至少一者。/n
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