[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201610719763.0 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106653823A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 卢卉庭;钟于彰;王培伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，一种半导体器件包括配置为半导体器件的阳极的第一阱区、配置为半导体器件的阴极的第一掺杂区域、配置为半导体器件的另一阴极的第二掺杂区域以及导电区域。第一阱区设置在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间，并且配置为电连接导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一阱区，配置为所述半导体器件的阳极；第一掺杂区域，配置为所述半导体器件的阴极；第二掺杂区域，配置为所述半导体器件的另一阴极；以及导电区域，其中，所述第一阱区设置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间，并且所述第一阱区配置为电连接所述导电区域。
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