[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，该方法包括：(1)在晶体硅衬底正面形成晶体硅发射结、然后依次沉积含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属正电极；(2)在晶体硅衬底反面形成晶体硅背场、然后依次沉积含第二硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属背电极。本发明提供的方法有效提高了晶体硅太阳能电池的光生电流和开路电压且制备工艺简单易行。

主权项

一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池正面由晶体硅衬底至表面依次包括：晶体硅发射结、含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属正电极；该太阳能电池反面由晶体硅衬底至表面依次包括：晶体硅背场、含第二硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属背电极。