[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 201610726303.0 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106486886B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 森住直人;浪江贵史;中川崇史;荐田大祐;正瑞浩章 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;青炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种将半导体激光装置中的各种部件，特别是波长转换部的位置偏移控制在最小限度而可靠地被固定的半导体激光装置。该半导体激光装置具有基部(11)；半导体激光元件(12)；设置于基部的上方并在设置于其上方的凹部(13D)的底部具有贯通孔(13C)的盖部(13)；配置于凹部并在盖部的贯通孔的上方具有直径比盖部的贯通孔小的贯通孔(14C)且具有与盖部不同的热膨胀系数的保持部(14)；保持于保持部的贯通孔的波长转换部(15)；以及固定于盖部并按压保持部的上表面的按压部(16)，凹部的侧面与保持部的侧面分离，在凹部的侧面与保持部的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光装置，其特征在于，具有：基部；半导体激光元件，其设置于所述基部的上方；盖部，该盖部设置于所述基部的上方，收容所述半导体激光元件，并具有设置于该盖部的上表面的凹部以及设置于该凹部的底部的贯通孔；保持部，其配置于所述凹部，在所述盖部的贯通孔的上方具有直径比所述盖部的贯通孔小的贯通孔，并具有与所述盖部不同的热膨胀系数；波长转换部，其保持于所述保持部的贯通孔；以及按压部，其固定于所述盖部，并按压所述保持部的上表面，所述凹部的侧面与所述保持部的侧面分离，在所述凹部的侧面与所述保持部的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件。
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