[发明专利]影像感测器在审
申请号: | 201610728869.7 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN107086223A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 李岳川;陈嘉展 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种具有反射器的背面照射(Backside Illuminated;BSI)影像感测器是被提供。像素感测器是配置于半导体基材的底侧上,且此像素感测器包含光侦测器,其中此光侦测器配置于半导体基材内。内连接结构是配置于半导体基材和像素感测器下,且内连接结构包含内连接层和接触窗。其中,此接触窗是由内连接层延伸至像素感测器。反射器是配置于光侦测器下,且介于内连接层和光侦测器之间。反射器是配置以朝光侦测器反射入射辐射线。 | ||
搜索关键词: | 影像 感测器 | ||
【主权项】:
一种影像感测器,其特征在于,该影像感测器包含:一像素感测器,配置于一半导体基材的一底侧上,其中该像素感测器包含一光侦测器,且该光侦测器配置于该半导体基材内;一内连接结构,配置于该半导体基材和该像素感测器下,其中该内连接结构包含一内连接层和一接触窗,且该接触窗由该内连接层延伸至该像素感测器;以及一反射器,配置于该光侦测器下,且介于该内连接层和该光侦测器之间,其中该反射器配置以朝该光侦测器反射入射辐射线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的