[发明专利]一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法在审

专利信息
申请号: 201610733204.5 申请日: 2016-08-27
公开(公告)号: CN107771658A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 杜名胜
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 237000 安徽省六安市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法,一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤,1)配制移栽定植基质,2)将栽培土深翻20cm~30cm,曝晒2‑3天,再在表面撒上石灰石;3)将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒过的土壤上;4)搭棚;5)选择无病、健壮、大小均匀的苗进行移栽,移栽前将移栽苗用清水反复洗根两到三次,再用GA3、6‑BA、NAA和PP333的混合液浸根2h;6)将处理好的移栽苗种植于基质上;7)配置N∶P∶K=15∶30∶15的完全营养液并加入腐殖酸,移栽后一个月,每周喷施1~2次完全营养液。本发明具有促进移栽的石斛快速生长,解决试管苗移栽成活率低和生长缓慢的优点。
搜索关键词: 一种 提高 霍山 石斛 移栽 成活率 育苗 方法
【主权项】:
一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法,其特征在于:所述一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤,1)配制移栽定植基质,选用蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨作为移栽定植基质,蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨配比为:1:4:2:3:1:2:1,将上述原料混合加入适量石灰石进行2‑3个月的腐熟;2)将栽培土深翻 20cm ~ 30cm,曝晒2‑3天,再在表面撒上石灰石;3)将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒过的土壤上,移栽定植基质的铺盖厚度为10‑20cm;4)搭棚,大棚包括:棚架、内外双层遮阳网、塑料薄膜、苗床、浇水等设施,外遮阳网可为固定式,遮光度70%左右,内遮阳网为活动式,遮光度50%左右可人工收放遮阳网棚高3米左右,棚宽4~6米左右,棚长度根据场地条件灵活确定,长度不超过30米,棚四周要建排水沟;5)选择无病、健壮、大小均匀的苗进行移栽,移栽前将移栽苗用清水反复洗根两到三次,再用 GA3、6‑ BA、NAA 和 PP333 的混合液浸根 2h;6)将处理好的移栽苗按每丛3‑‑5株,株距10厘米、行距13厘米的规格种植于基质上,以移栽苗根部完全覆盖为宜;7)配置N∶ P∶ K = 15∶ 30∶ 15 的完全营养液并加入腐殖酸,移栽后一个月,每周喷施 1 ~ 2 次完全营养液。
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