[发明专利]一种抗PID太阳能电池返工片的处理方法有效
申请号: | 201610736217.8 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106299023B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 赵洪俊;代桃桃;刘仁中;何为晋;黄红娜 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗PID太阳能电池返工片的处理方法,涉及太阳能电池技术领域。本发明的抗PID太阳能电池返工片的处理方法,包括将返工片去膜清洗、在线式钝化炉钝化、镀膜、丝网印刷和烧结的步骤,所述去膜清洗包括将返工片进行酸洗、水洗、风干的步骤;是在现有的湿法机台的基础上做出优化,返工片不用重新经过制绒、扩散、刻蚀的工序,减少了返工片因为二次制绒导致的不良,简化了工序,降低了成本。本发明的抗PID太阳能电池返工片的处理方法,优化了返工片处理流程,减少了因返制绒处理返工片导致的不良,降低了返工片处理成本,制备得到的太阳能电池返工片具有良好的抗PID效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 pid 太阳能电池 返工 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种抗PID太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于,包括将返工片去膜清洗、在线式钝化炉钝化、镀膜、丝网印刷和烧结的步骤,所述去膜清洗包括将返工片进行酸洗、水洗、风干的步骤;所述在线式钝化炉钝化的过程为臭氧氧化工艺;所述臭氧氧化工艺为:利用格瑞特在线式钝化炉,把氧气通入到臭氧发生器中产生臭氧,其中O2流量≥5L/min,O2通入压强≥0.1MPa,臭氧浓度≥800ppm,将太阳能电池返工片置于臭氧氛围中氧化,得到带有二氧化硅层的太阳能电池返工片;所述镀膜过程为:将带有二氧化硅层的太阳能电池返工片利用管式PECVD沉积一层氮化硅薄膜,具体工艺参数为:沉积压力为1600~1700mtorr,氨气流量为5000~8000sccm,硅烷流量为800~1150sccm,射频功率为5500~7500w,沉积温度为450~500℃;所述在线式钝化炉钝化处理与所述镀膜处理之间间隔时间控制在2h以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的