[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构；去除栅极结构两侧的鳍部，在栅极结构两侧形成露出衬底的凹槽；在凹槽底部的衬底内形成防扩散掺杂区；形成防扩散掺杂区后，在凹槽内形成应力层，并在应力层内形成源漏掺杂区。本发明在栅极结构两侧形成露出衬底的凹槽后，在凹槽底部的衬底内形成防扩散掺杂区；后续在凹槽内形成应力层并在应力层内形成源漏掺杂区后，防扩散掺杂区位于源漏掺杂区底部的衬底内，防扩散掺杂区可以抑制源漏掺杂区的掺杂离子向沟道区扩散，防止源漏掺杂区发生底部穿通，从而可以减少沟道漏电流。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；形成横跨所述鳍部且覆盖部分鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构；去除所述栅极结构两侧的鳍部，在所述栅极结构两侧形成露出所述衬底的凹槽；对所述凹槽底部的衬底进行离子掺杂，在所述凹槽底部的衬底内形成防扩散掺杂区；形成所述防扩散掺杂区后，在所述凹槽内形成应力层，并在所述应力层内形成源漏掺杂区。