[发明专利]局部掺杂前表面场背接触电池及其制备方法和组件、系统

摘要

本发明涉及一种局部掺杂前表面场背接触电池及其制备方法和组件、系统。本发明的局部掺杂前表面场背接触电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为局部掺杂n+前表面场和前表面钝化减反膜，N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面p+掺杂区域和背表面n+掺杂区域、背表面钝化膜和背表面金属电极。其有益效果是只在N型晶体硅基体的前表面局部区域进行n+掺杂，其余区域不掺杂，从而制得局部掺杂的前表面场，这种结构既降低了前表面场自身的复合又能给N型晶体硅基体提供优异的场钝化效果，所制电池具有较高的开路电压、短路电流和转换效率。

主权项

一种局部掺杂前表面场背接触电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：所述N型晶体硅基体的前表面包括局部掺杂n+前表面场和非掺杂区域，在局部掺杂n+前表面场和非掺杂区域的表面设置有前表面钝化减反膜；所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为掺杂区域、背表面钝化膜和与掺杂区域欧姆接触的金属电极，所述掺杂区域包括相互交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域，所述背表面n+掺杂区域设置有n+金属电极，所述背表面p+掺杂区域设置有p+金属电极。