[发明专利]封装件结构及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了封装件结构及其制造方法。在衬底上形成贯通孔，贯通孔延伸穿过模制材料。从贯通孔的上表面开槽模制材料的上表面。在贯通孔和模制材料上方沉积介电层。介电层具有第一上表面，第一上表面具有在贯通孔上方设置的第一区域和在模制材料上方设置的第二区域之间的高度的第一差异。在介电层上实施曝光工艺。显影介电层。在显影之后，介电层具有第二上表面，第二上表面具有第一区域和第二区域之间的高度的第二差异。第一差异大于第二差异。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成贯通孔，所述贯通孔延伸穿过模制材料；在所述贯通孔和所述模制材料上方沉积介电层；在第一曝光剂量下，在所述介电层的第一区域上实施第一曝光工艺；在第二曝光剂量下，在所述介电层的第二区域上实施第二曝光工艺，其中，所述介电层的所述第二区域的一部分与所述介电层的所述第一区域的一部分重叠；以及显影所述介电层。