[发明专利]一种图形化导电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610749830.3 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN106298070B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 郭小军;陈苏杰;唐伟;丁立 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图形化导电薄膜的制备方法,首先在衬底上采用点胶工艺形成预定图形的聚合物掩模,然后对该衬底进行氧等离子或是紫外光照射处理以提高亲水性,再通过溶液工艺在附有所述聚合物掩模的衬底上制备导电薄膜,最后将该聚合物掩模从所述衬底上剥离,从而得到图形化的导电薄膜。本发明中的聚合物掩模图形可由自动化点胶设备中软件的自由设计,所得到的导电薄膜可满足溶液工艺生产的电子器件小批量、多样性的需求,使电子器件的生产更为灵活;所形成的掩模图形方法简单,并能够兼容导电薄膜的溶液工艺,降低了导电薄膜图形化的工艺复杂程度;在图形化过程中,所需的图形化导电薄膜表面没有其他材料覆盖,减少了清洗覆盖材料的步骤,避免了清洗时对导电薄膜的损伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种图形化导电薄膜的制备方法,其特征在于,首先在衬底上采用点胶工艺形成预定图形的聚合物掩模,然后对该衬底进行氧等离子或是紫外光照射处理以提高亲水性,再通过溶液工艺在附有所述聚合物掩模的衬底上制备导电薄膜,最后将该聚合物掩模从所述衬底上剥离,从而得到图形化的导电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610749830.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。