[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201610749911.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653848B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构和覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括栅极介电层、功函数层和位于功函数层上方的导电填料。半导体器件结构还包括覆盖鳍结构的介电层。介电层与导电填料直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：/n鳍结构，位于半导体衬底上方；/n隔离部件，邻近所述鳍结构；/n栅极堆叠件，覆盖所述鳍结构的一部分，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层、功函数层和位于所述功函数层上方的导电填料，其中，所述导电填料覆盖所述功函数层的侧边；以及/n介电层，覆盖所述鳍结构，其中，所述介电层与所述导电填料直接接触，/n其中，所述功函数层终止在所述鳍结构和所述介电层之间的隔离部件上方。/n
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